RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
60
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
10.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
60
Velocità di lettura, GB/s
16.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2904
2359
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link