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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
60
读取速度,GB/s
16.8
15.3
写入速度,GB/s
10.8
11.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2359
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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