RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
72
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
72
Velocità di lettura, GB/s
16.4
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2729
1817
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link