RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
72
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
72
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
1817
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link