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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Motivi da considerare
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
34
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
11.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
31
Velocità di lettura, GB/s
16.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
3755
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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