Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 77
    Intorno 52% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.2 left arrow 13.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.4 left arrow 5.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    37 left arrow 77
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.2 left arrow 13.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 5.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2143 left arrow 1440
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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