RAM-Vergleich Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Gesamtnote

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 77

Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.2 13.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.4 5.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2143 1440

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns