Comparação RAM Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Pontuação geral

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

37 77

Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.2 13.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.4 5.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 10600

Por volta de 1.81 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2143 1440

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns