Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    37 left arrow 77
    Wokół strony 52% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.2 left arrow 13.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 5.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 77
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.2 left arrow 13.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 5.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2143 left arrow 1440
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania