RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
52
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
52
Velocità di lettura, GB/s
16.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
2306
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link