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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
18.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2288
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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