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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3171
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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