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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

総合得点
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

総合得点
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 28
    周辺 -22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 3171

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Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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