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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3171
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparações de RAM
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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