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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3171
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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