RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
37
Velocità di lettura, GB/s
18.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2907
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Segnala un bug
×
Bug description
Source link