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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
33
Velocità di lettura, GB/s
18.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
3082
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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