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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
32
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
12.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
32
Velocità di lettura, GB/s
17.4
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.2
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3130
3726
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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