RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
32
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
3726
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link