Confronto tra le RAM G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Punteggio complessivo

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

24 12.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

20.0 6.3

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 29

Intorno -21% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

4156 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns