RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2256
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link