RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
49
Intorno -36% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
36
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2416
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link