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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3080
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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