RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3080
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link