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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
49
Intorno -58% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
31
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3753
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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