RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3540
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link