RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
49
Intorno -113% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
23
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3171
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link