RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
49
Intorno -96% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
25
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2989
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link