RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2989
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link