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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
73
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
2,066.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
73
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
1609
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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