RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    49 left arrow 73
    周辺 33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.1
    テスト平均値
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.1 left arrow 2,066.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 73
  • 読み出し速度、GB/s
    4,577.1 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,066.5 left arrow 7.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    737 left arrow 1609

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAMの比較

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
メモリRAM