RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno -63% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
30
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2846
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link