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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
4,577.1
15.9
写入速度,GB/s
2,066.5
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2846
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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