Confronto tra le RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Punteggio complessivo

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

62 63

Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 16.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.2 1,843.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 6400

Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

542 1863

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns