Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

Punteggio complessivo
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    62 left arrow 94
    Intorno 34% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 13.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.4 left arrow 1,843.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 6400
    Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    62 left arrow 94
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,556.6 left arrow 13.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,843.6 left arrow 6.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    542 left arrow 1390
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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