RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
62
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
28
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
3104
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link