RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
29
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2202
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link