RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2202
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link