RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2202
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link