RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
60
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
60
Velocità di lettura, GB/s
9.3
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2554
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link