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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
92
Intorno -254% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
26
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3876
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
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