RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
60
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
60
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2554
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link