Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Средняя оценка

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 20

Среднее значение в тестах

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Причины выбрать
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

53 58

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.4 2,001.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 53
Скорость чтения, Гб/сек

4,796.5 20.0
Скорость записи, Гб/сек

2,001.3 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

768 2366

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston K000MD44U 4GB

Kingston K000MD44U 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB

модули RAM