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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
58
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
2,001.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
53
读取速度,GB/s
4,796.5
20.0
写入速度,GB/s
2,001.3
9.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
2366
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM的比较
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Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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