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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
63
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
63
读取速度,GB/s
11.9
17.0
写入速度,GB/s
8.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2061
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
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