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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

総合得点
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

総合得点
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 63
    周辺 29% 低遅延
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2077 left arrow 2061

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Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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