Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    62 left arrow 79
    Intorno 22% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 14.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.9 left arrow 1,843.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 6400
    Intorno 3 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    62 left arrow 79
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,556.6 left arrow 14.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,843.6 left arrow 7.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    542 left arrow 1710
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti