RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
62
Intorno -148% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
25
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
2340
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link