RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
62
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
32
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
1897
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link