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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

総合得点
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 62
    周辺 -94% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 1897

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