RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
31
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
16.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
31
Velocità di lettura, GB/s
16.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
3215
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link